Physical Vapour Deposition Verfahren (PVD-Verfahren)

Das Verfahren wird in erster Linie im Argon-Plasma durchgeführt. Beim PVD-Verfahren (Physical Vapour Deposition = Physikalisches Dampfabscheideverfahren) mit Hilfe der Plasmatechnik wird das aufzudampfende Material als feste Probe auf der Arbeitselektrode des Reaktors angebracht. Wenn diese Arbeitselektrode kapazitiv vom Generator getrennt ist, wird sie durch Elektronenbeschuss zunehmend aufgeladen. Die Argonionen werden durch die negative Elektrode beschleunigt und prallen auf das Target. Dort werden Atome aus der Oberfläche herausgeschlagen und in die Dampfphase überführt.

Physikalisches Dampfabscheideverfahren. Dampfabscheideverfahren, das im Gegensatz zum Chemischen Dampfabscheideverfahren (Chemical Vapour Deposition CVD) ohne chemische Reaktion auskommt.

Wird oft angewandt zum Bedampfen von Metallen mit Hartstoffschichten. Das aufzudampfende Material wird oft thermisch verdampft.

Außerdem kann das aufzudampfende Material durch Sputtern im Niederdruckplasma in die Dampfphase überführt werden. Dabei wird das "Target", das aufzudampfende Material mit Ionen beschossen, dass Atome aus dem Target sprengt.

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