Implantación de iones

La implantación de iones es un procedimiento que consiste en incorporar átomos ajenos a un material de base para modificar sus características. En primera instancia, la implantación de iones se utiliza para dopar semiconductores con átomos ajenos. Dichos átomos ajenos se denominan dopantes y se clasifican, por su parte, en donantes (aquellos que entregan electrones en la red cristalina) y aceptores (aquellos que reciben electrones).
En la implantación de iones, se ionizan átomos ajenos, que se aceleran en el campo eléctrico y se "bombardean" hacia el sustrato, generalmente silicio. Dopantes típicos: boro, fósforo, arsénico, indio, germanio, oxígeno, nitrógeno, carbono. Estos átomos ajenos ocupan posiciones de la red cristalina correspondientes a átomos del material de base.

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