Implantation ionique

L'implantation ionique est un processus d'introduction d'atomes étrangers dans un matériau de base pour en modifier les propriétés. L'implantation ionique est principalement utilisée pour le dopage des semi-conducteurs ayant des atomes étrangers. Ces atomes étrangers sont appelés pointillés, qui à leur tour se distinguent en donneurs, qui libèrent des électrons dans le réseau cristallin, et en accepteurs, qui absorbent les électrons.
Lors de l'implantation ionique, les atomes étrangers sont ionisés, accélérés dans le champ électrique et « injectés » dans le substrat, généralement du silicium. Les dopants typiques sont : bore, phosphore, arsenic, indium, germanium, oxygène, azote, carbone. Ces atomes étrangers occupent des positions en réseau dans le cristal au lieu d'atomes du matériau de base.