RIE - 反应性离子蚀刻

反应性离子蚀刻是一种多用途的干式蚀刻技术,其几乎适用于所有用于电子和光电子领域的材料。等离子体的带电离子出现在工件表面,并逐层进行可重复性和各向异性剥蚀。反应性离子蚀刻特别用于对硅、有机和无机介质、电子和光电子用途的金属阻隔性材料和聚合物进行各向异性结构化。(SH) 主要用诸如 CF4 和 SF6 之类的氟族蚀刻气体对硅或者含硅层进行剥蚀。使用氧气等离子他或 O2 与 CF4 的气体混合物对有机分子进行蚀刻,或者对无机层上的有机残留物进行清洗。金属层主要进行物理蚀刻(原子/分子的机械喷射),例如:借助氩气等离子体。

通过反应性离子蚀刻,能够以较高的蚀刻速率进行各向异性蚀刻