光刻

将几何图形通过掩膜转移至基材上,该掩膜由光刻胶制成。光刻胶既可以是正性光刻胶 ,也可以是负性光刻胶,其被完整涂覆于待蚀刻基材的表面,并随后用待蚀刻的几何结构进行曝光。通过随后进行的显影,则会显出被曝光(正性光刻胶)或未曝光(负性光刻胶)区域,并且该区域中会露出基材层。对整个表面进行全表面加工时,例如:通过反应性离子蚀刻 (RIE),仅改变基材露出的区域。