光刻胶

光致抗蚀剂、液态或固态膜在曝光后首选用紫外光进行显影。正性光刻胶通过曝光进行最大程度的去润湿或改变化学性质(酸性变化),这样被曝光的位置可通过特殊的显影剂(氯化烃、稀氢氧化钠溶液或碳酸钠、热水等)被析取。对于负性光刻胶而言,该过程则相反,曝光位置会更强烈的进行互相结合。根据具体厚度和化学性质,可区分为抗电镀剂或抗蚀刻剂。
在对精细结构进行等离子蚀刻时,覆盖了光刻胶的区域是无法进行蚀刻的。光刻胶本身可通过等离子蚀刻方法去除。