表面技术词汇表 plasma.com 工艺技术 词汇表 阴极 阴极 带负电荷的 电极 用于构建一个电场。 在进行反应性离子束蚀刻 (RIE) 时,基材被定位在阴极上,并借此受到加速的正电荷离子(阳离子)的轰击。
表面技术词汇表 plasma.com 工艺技术 词汇表 反应性离子蚀刻 (RIE) RIE - Reactive Ion Etching(反应性离子蚀刻) 反应性离子蚀刻是一种多用途的干式蚀刻技术, 其几乎适用于所有用于电子和光电子领域的材料。这些 等离子体 的带电离子撞击到工件表面上,并逐层进行可重复性和 各向异性 剥蚀。反应性离子蚀刻特别用于对硅、有机和无机电介质、电子和光电子用途的金属阻隔性材料和
表面技术词汇表 plasma.com 工艺技术 词汇表 宽高比 宽高比 宽高比是指微结构的高度/宽度比例。通过 各向异性 等离子蚀刻方法( ⇒ 离子蚀刻 IE 和 ⇒ 反应性离子蚀刻 (RIE) ,凹槽深度和宽度之间或者脊高度和宽度之间的宽高比较大,可达到 10 或更大。对于 0.2µm 以上的结构宽度,高达 50 及以上的极大宽高比,可通过 LIGA 方法 实现。
词汇表 掩膜 掩膜 表面或基材上经结构化处理的膜或涂层。掩膜的结构允许对基材进行局部处理。在微电子领域中,具有超精细结构的掩膜主要产生于 光刻 。经 光刻胶 层中的缺口,尤其可以通过 反应性离子蚀刻 (RIE) 对基材进行处理。光刻胶掩膜本身也可在经结构化处理后通过 等离子蚀刻 将其除去。
面上,并随后用待蚀刻的几何结构进行曝光。通过随后的显影,使被曝光(正性光刻胶)或未曝光(负性光刻胶)区域溶解,并使基材层在这些区域中露出。对整个表面进行全表面处理时,例如:通过 反应性离子蚀刻 (RIE) ,仅会改变基材露出的区域。
异性特性。等离子体效应可以设置为各向同性或各向异性。特别是对微结构进行 蚀刻 时,需力求具有较强的各向异性,也就是说:较强的蚀刻速度首选方向。 特别是物理蚀刻方法具有各向异性效应( 离子蚀刻 、 RIE )。
光刻 法。在此方法的各个步骤中都用到了 等离子体技术 。首先要涂覆全表面的金属层,并在其上方涂覆光刻胶层。光刻胶层将被曝光并显影。期间,后续导体电路的结构仍被 光刻胶 所覆盖。通过 反应性离子蚀刻 (RIE) 可在随后将未覆盖区域中的金属层去除。 最后,通过在氧气等离子体中进行 等离子蚀刻 ,将导体电路上的光刻胶去除。 构建导体电路时,通过等离子蚀刻对电路板进行处理
Pico Hydrophobe Beschichtung auf Baumwolle Wassertropfen auf PTFE ähnlicher Beschichtung Einfache RIE- Elektrode chip opener / Chipöffner Rastersondenmikroskop AFM In-Line-Plasmaanlage Plasmabehandlung [...] Plasmaanlage Werksfeuerwehr Unser neues Azubiauto - Renault Twizy Plasma-Glocke Neonplasma Einfache RIE-Elektrode in ND-Plasmaanlage Plasmaanlage für PCB Plasmaentgraten von Kunststoffteilen Plasmaanlage
词汇表 蚀刻掩模 蚀刻掩模 如果只需对基材的局部进行蚀刻,则必须通过 掩膜 盖住剩余区域。掩膜本身不应受到蚀刻工艺流程的腐蚀。 对于结构 蚀刻 ,首选 各向异性 的蚀刻方法( ⇒ 离子蚀刻 、 ⇒ RIE ),其能够蚀刻出清晰的蚀刻掩膜轮廓。 各向同性 蚀刻方法(湿法化学蚀刻、 等离子蚀刻 )会导致蚀刻掩膜形成 底切 ,而且不允许具有较高的 宽高比 。非常重要的是蚀刻导体电路于 印刷电路板 使用 光刻法 [...] 底切 ,也就是说,会在光刻胶涂层下方从侧面对后来的导体电路的金属层造成腐蚀。通过适当调整蚀刻参数,等离子蚀刻既可为各向同性,亦可为 各向异性 (参见 ⇒ 离子蚀刻 IE 、 ⇒ 反应性离子蚀刻 RIE ),从而按照光刻胶掩膜的清晰轮廓真正蚀刻掉金属涂层。 对导体电路进行蚀刻后,还可以通过等离子蚀刻工艺去除光刻胶涂层( ⇒ 等离子剥离 )。 在等离子中进行化学干法蚀刻的过程
的。应用用途: 去除 碳氢化合物 (包括 ⇒ 等离子清洗 ) 蚀刻 PTFE 去除材料表面 粗糙化并增大表面积 去除 光刻胶 (剥除光刻胶) 未利用离子轰击的物理蚀刻效果(参见 ⇒ 离子蚀刻 、 RIE )。 化学等离子蚀刻的流程