| Применение и свойства | Преимущества плазмы низкого давления | Недостатки плазмы низкого давления | Преимущества плазмы атмосферного давления | Недостатки плазмы атмосферного давления | Преимущества атмосферной плазмы коронного разряда | Недостатки атмосферной плазмы коронного разряда |
| Общее получение плазмы | Плазма равномерно распределяется внутри плазменной камеры. Объем камеры варьируется от 2 до 12 000 литров | Затратное вакуумное оборудование. Применение для поточной плазменной обработки ограничено | Плазменная обработка может осуществляться непосредственно на конвейере. Подходит для поточной обработки. Нет необходимости в вакуумном оборудовании. | Ширина зоны плазменной обработки ограничена из-за принципа плазменного возбуждения (8-12 мм). Для обработки более крупных объектов необходимо использовать несколько сопел | Плазменная обработка может осуществляться непосредственно на конвейере. Подходит для поточной обработки. Нет необходимости в вакуумном оборудовании. Ширина плазменной обработки составляет прибл. 60 мм | Подходит только для неэлектропроводных подложек. Относительно низкая скорость обработки по сравнению с плазмой атмосферного давления |
| Обработка металлов | Возможна плазменная очистка чувствительных к окислению объектов (например, H2 в качестве технологического газа) | При СВЧ-возбуждении энергия может соединяться с объектами. Это приводит к перегреву объекта. В случае с килогерцевой плазмой перегрев не наблюдается | При плазменной обработке алюминия возможно получение очень тонких оксидных слоев (пассивация) | Плазменная очистка чувствительных к окислению объектов ограничена | | Невозможно |
| Обработка полимеров / эластомеров | Возможна плазменная активация ПТФЭ (процесс травления). Разработаны и применяются хорошие процессы плазменной обработки для уплотнителей из эластомеров и ПТФЭ | Некоторые материалы (например, силиконы) требуют более крупных насосов для достижения необходимого технологического давления | Возможна предварительная обработка «непрерывных» объектов (например, шлангов, кабелей и т. д.) Очень короткая продолжительность процесса | Плазменная струя имеет температуру около 200–300 °C. Технологические параметры должны быть хорошо подобраны с учетом поверхности во избежание сгорания (тонкие материалы) | Возможна предварительная обработка «непрерывных» и широких объектов (прибл. до 60 мм) | Относительно низкая скорость обработки по сравнению с плазмой атмосферного давления. Равномерность обработки и поверхностная энергия немного ниже в сравнении с плазмой атмосферного и низкого давления |
| 3-мерные объекты | Все объекты в плазменной камере обрабатываются равномерно. Также возможна обработка пустот изнутри (например, катушка зажигания, емкости для воды и т. д.) | Неизвестно | Возможна локальная обработка поверхности (например, пазы для склеивания) | Необходима затратная роботизированная техника с шарнирно-сочлененным рычагом. Способность плазмы атмосферного давления проникать в зазоры является ограниченной | Пригодна только условно | Необходима затратная роботизированная техника с шарнирно-сочлененным рычагом. Способность плазмы коронного разряда проникать в зазоры является очень ограниченной |
| Сыпучие материалы | Метод с применением вращающегося барабана обеспечивает равномерную плазменную обработку сыпучих материалов. Количество и объем деталей может варьироватьс | Можно использовать только 1/3 объема вращающегося барабана (рекомендуется) | Обработка объектов может осуществляться непосредственно на конвейере | Необходимо точное размещение объектов на конвейере | Возможна обработка сыпучих материалов с использованием вращающегося барабана. Также возможна обработка деталей непосредственно на конвейере (3-мерная){1} | Меньшая интенсивность обработки в сравнении с плазмой низкого давления |
| Электроника / полупроводниковая техника | Плазменная обработка электронных деталей, печатных плат и полупроводниковых деталей с помощью плазмы низкого давления соответствует современному уровню техники. | Неизвестно | | Предварительная плазменная обработка металлических контактов или индиево-оловянно-оксидных контактов может осуществляться непосредственно перед процессом микросварки (например, при изготовлении ЖК-, TFT-мониторов и чипов) | Повышенная температура плазменной струи и ограниченная способность плазмы проникать в зазоры, пожалуй, ограничивают использование плазмы атмосферного давления в электронной промышленности | Непригодна из-за потенциала высокого напряжения |
| Процессы нанесения покрытий | Получение равномерных покрытий Разработаны и применяются много процессов плазмохимического и физического осаждения из паровой фазы | Плазменная камера может загрязняться | Есть много практикуемых вариантов промышленного применения | Еще нет практикуемых вариантов промышленного применения | | Еще нет практикуемых вариантов промышленного применения |
