Сравнительная таблица плазмы низкого давления / плазмы атмосферного давления

Применение и свойстваПреимущества плазмы низкого давленияНедостатки плазмы низкого давленияПреимущества плазмы атмосферного давленияНедостатки плазмы атмосферного давленияПреимущества атмосферной плазмы коронного разрядаНедостатки атмосферной плазмы коронного разряда
Общее получение плазмыПлазма равномерно распределяется внутри плазменной камеры. Объем камеры варьируется от 2 до 12 000 литровЗатратное вакуумное оборудование. Применение для поточной плазменной обработки ограниченоПлазменная обработка может осуществляться непосредственно на конвейере. Подходит для поточной обработки. Нет необходимости в вакуумном оборудовании.Ширина зоны плазменной обработки ограничена из-за принципа плазменного возбуждения (8-12 мм). Для обработки более крупных объектов необходимо использовать несколько сопелПлазменная обработка может осуществляться непосредственно на конвейере. Подходит для поточной обработки. Нет необходимости в вакуумном оборудовании. Ширина плазменной обработки составляет прибл. 60 ммПодходит только для неэлектропроводных подложек. Относительно низкая скорость обработки по сравнению с плазмой атмосферного давления
Обработка металловВозможна плазменная очистка чувствительных к окислению объектов (например, H2 в качестве технологического газа)При СВЧ-возбуждении энергия может соединяться с объектами. Это приводит к перегреву объекта. В случае с килогерцевой плазмой перегрев не наблюдаетсяПри плазменной обработке алюминия возможно получение очень тонких оксидных слоев (пассивация)Плазменная очистка чувствительных к окислению объектов ограниченаНевозможно
Обработка полимеров / эластомеровВозможна плазменная активация ПТФЭ (процесс травления). Разработаны и применяются хорошие процессы плазменной обработки для уплотнителей из эластомеров и ПТФЭНекоторые материалы (например, силиконы) требуют более крупных насосов для достижения необходимого технологического давленияВозможна предварительная обработка «непрерывных» объектов (например, шлангов, кабелей и т. д.) Очень короткая продолжительность процессаПлазменная струя имеет температуру около 200–300 °C. Технологические параметры должны быть хорошо подобраны с учетом поверхности во избежание сгорания (тонкие материалы)Возможна предварительная обработка «непрерывных» и широких объектов (прибл. до 60 мм)Относительно низкая скорость обработки по сравнению с плазмой атмосферного давления. Равномерность обработки и поверхностная энергия немного ниже в сравнении с плазмой атмосферного и низкого давления
3-мерные объектыВсе объекты в плазменной камере обрабатываются равномерно. Также возможна обработка пустот изнутри (например, катушка зажигания, емкости для воды и т. д.)НеизвестноВозможна локальная обработка поверхности (например, пазы для склеивания)Необходима затратная роботизированная техника с шарнирно-сочлененным рычагом. Способность плазмы атмосферного давления проникать в зазоры является ограниченнойПригодна только условноНеобходима затратная роботизированная техника с шарнирно-сочлененным рычагом. Способность плазмы коронного разряда проникать в зазоры является очень ограниченной
Сыпучие материалыМетод с применением вращающегося барабана обеспечивает равномерную плазменную обработку сыпучих материалов. Количество и объем деталей может варьироватьсМожно использовать только 1/3 объема вращающегося барабана (рекомендуется)Обработка объектов может осуществляться непосредственно на конвейереНеобходимо точное размещение объектов на конвейереВозможна обработка сыпучих материалов с использованием вращающегося барабана. Также возможна обработка деталей непосредственно на конвейере (3-мерная){1}Меньшая интенсивность обработки в сравнении с плазмой низкого давления
Электроника / полупроводниковая техникаПлазменная обработка электронных деталей, печатных плат и полупроводниковых деталей с помощью плазмы низкого давления соответствует современному уровню техники.НеизвестноПредварительная плазменная обработка металлических контактов или индиево-оловянно-оксидных контактов может осуществляться непосредственно перед процессом микросварки (например, при изготовлении ЖК-, TFT-мониторов и чипов)Повышенная температура плазменной струи и ограниченная способность плазмы проникать в зазоры, пожалуй, ограничивают использование плазмы атмосферного давления в электронной промышленностиНепригодна из-за потенциала высокого напряжения
Процессы нанесения покрытийПолучение равномерных покрытий Разработаны и применяются много процессов плазмохимического и физического осаждения из паровой фазыПлазменная камера может загрязнятьсяЕсть много практикуемых вариантов промышленного примененияЕще нет практикуемых вариантов промышленного применения Еще нет практикуемых вариантов промышленного применения