Anodisches Bonden

Verbindungsverfahren in der Halbleiter-, Sensor- und Mikrosystemtechnik zum untrennbaren verbinden zweier sehr glatten Platten, die in sehr engen Kontakt gebracht werden. Eine der Platten muss aus einem Halbleitermaterial (i.A. Silizium) bestehen. Zweite Platte kann entweder selbst ein Halbleiter oder eine Glasplatte sein.