Sputtering-Polverizzazione

Sputtering è etching a bombardamento ionico.. Il sistema plasma è progettato per questo processo come etcher a spruzzo. In questa modalità, un elettrodo di lavoro è  collegato al generatore di plasma, ma capacitivamente disaccoppiato da un condensatore collegato. Così, è possibile alcun flusso di corrente tra il generatore e l’elettrodo. Il reattore è preferibilmente sputtering con la frequenza RF   13,56 MHz operato. A questa alta frequenza, leggeri elettroni seguono il campo elettrico, la frequenza inerziale ioni pesanti è troppo alta. Rimangono quasi immobile e fredda. Quando una tensione positiva viene applicata all'elettrodo di lavoro, si scontrano con gli elettroni all'elettrodo. Tuttavia, poiché questi non possono fluire attraverso il condensatore intermedio, l'elettrodo di lavoro invita sempre più negativa. Questo effetto è chiamato auto-bias. Il substrato è posizionato sulla elettrodo di lavoro e spese a quest'ultimo.

Con la tensione di polarizzazione al campo RF alternato un campo DC viene sovrapposta. Con questo ione anche ora sull'elettrodo di lavoro negativo ora accelerato e il substrato.

Il gas di processo preferito per sputtering è argon. Non reagisce chimicamente, in modo che vi sia un attacco puramente fisico. Gli ioni accelerati collidono al substrato e possono colpire là atomi, molecole e radicali dalla superficie, quasi indipendente dalle proprietà del substrato stesso.

Questo processo di attacco viene indicato come attacco fisico, attacco con ioni o come micro-sabbiatura, perché l'effetto di sabbiatura corrisponde con una ridotta a dimensioni atomiche granello di sabbia.

Per superfici sputtering può essere pulito di tutte le sostanze che non possono essere rimossi in maniera diversa pulizia al plasma. Esso comprende anche una maggiore superficie di sabbiatura, migliorando in tal modo la forza adesiva.

Etching con ioni nel plasma di argon agisce non selettivo. Pertanto, con questo metodo, quasi ogni substrato può essere elaborato

PVD

Durch Sputtern können auch Substrate durch Physikalische Gasphasenabscheidung (Physikal Vapour Deposition PVD) beschichtet werden.

Auf der Arbeitselektrode lagert ein Target aus dem Material, mit dem beschichtet werden soll.

Atome und Moleküle, die durch Sputtern aus dem Target herausgeschlagen werden, gelangen auf das Substrat und schlagen sich dort nieder.

Beim PVD-Beschichtungsverfahren werden Moleküle von einem Target durch Sputtern in die Gasphase überführt