RIE - Reactive Ion Etching

Il "Reactive ion etching" è una tecnica di etching a secco versatile, che è utilizzabile su quasi tutti i materiali, ed è ampiamente utilizzata in elettronica e optoelettronica. Le particelle cariche del plasma colpiscono la superficie del pezzo e l'usura strato per strato da riproducibile e anisotropo. Reactive attacco con ioni è utilizzato in particolare per anisotropo strutturazione di silicio, di dielettrici organici e inorganici, materiali barriera metallici e polimeri per applicazioni elettroniche ed optoelettronici. (SH) per la rimozione di silicio o strati contenenti silicio sono fluoro basata principalmente etching gas come CF 4 e SF 6 utilizzato. Per l'incisione di molecole organiche o di strati inorganici, la pulizia dei residui organici viene effettuata mediante plasma di ossigeno o miscele di gas di O 2 e 4 CF Strati metallici sono principalmente fisicamente ablati (espulsione meccanica di atomi/molecole), per esempio mediante plasmi di argon.

Il Reactive Ion Etching permette un etching anisotropo con alti tassi di etching