Acidatura a secco
I processi classici di acidatura si basano sull’asportazione di materiale dalla superficie per mezzo di liquidi (agenti incisori, primer), che intaccano il materiale superficiale (substrato). A seconda del tipo di substrato, si tratta nello specifico di solventi, alcali o acidi. Questi processi di acidatura vengono denominati processi di acidatura chimica a umido. La maggior parte dei substrati può essere incisa solo con agenti molto dannosi per l'ambiente e la salute. Senza chimica a umido, i processi di acidatura si svolgono nel plasma a bassa pressione . I processi di acidatura nel plasma vengono pertanto denominati acidatura a secco. In generale, può essere trattato con acidatura a secco qualsiasi tipo di substrato. Il termine acidatura a secco comprende i processi di acidatura denominati
- "acidatura al plasma" ("chemical dry etching", "acidatura chimica a secco", "acidatura isotropa a secco")
- "acidatura ionica" ("sputtering", "microsabbiatura", "acidatura fisica")
- "acidatura ionica reattiva" ("Reactive Ion Etching", "RIE")
Il termine "acidatura a secco" comprende tutti i processi di acidatura possibili per effetto del plasma, mentre il termine "acidatura al plasma" viene usato unicamente per l'acidatura dovuta all'azione chimica dei gas di processo. Possono tuttavia verificarsi degli equivoci. Pertanto è più opportuno usare i termini "acidatura chimica a secco" o "Chemical Dry Etching" invece del termine "acidatura al plasma”).
