Gravure (attaque) Plasma

La gravure plasma est une gravure isotrope due à des réactions chimiques, habituellement utilisée pour éliminer des couches de matériaux. Les désignations équivalentes relatives à ce procédé sont Gravure Réactive par plasma, Gravure Chimique par plasma, Ou Gravure Chimique Sèche (CDE).

Le procédé de gravure plasma élimine les couches de matériau d'un substrat en provoquant des réactions chimiques avec les molécules du substrat. Le procédé met à profit la forte réactivité des espèces actives du plasma. Le gaz de procédé le plus fréquemment utilisé est l’oxygène. La vitesse d'attaque dépend fortement de la nature chimique du substrat (procédé «sélectif»).

Le plasma oxygène ne grave pas les surfaces qui sont déjà oxydées.

Applications:

La gravure plasma est efficace tirer profit de l'effet physique de l'impact d'ions (voir ⇒ gravure ionique (IE), RIE).

Procédé de gravure Plasma